鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉(zhuǎn)化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩(wěn)定的相，它具有共價鍵、六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，在常壓下不能熔化，而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV，鋁膜廠家也可以通過摻雜成為寬帶隙半導體材料。

鋁在半導體工藝中被廣泛應用，比如形成金屬互連線、各種極板等等。從導電性能的角度來看，鋁的導電性要比銅和金差一些，但如果用銅代替鋁，銅與鋁的接觸電阻很高，并且如果銅進入器件區(qū)將引起器件性能的災難，而鋁則不具有前述問題，因而成為一種很好的選擇。它有足夠低的電阻率，有很好的過電流密度，對二氧化硅有很好的粘附性，能形成很高的純度，天然具備與硅的低接觸電阻，易于圖形化工藝等等。

傳統(tǒng)的鋁膜濕法刻蝕是基于磷酸。鋁膜廠家現(xiàn)有厚鋁(厚度以上)刻蝕工藝中由于刻蝕時間長，使用光刻膠厚，導致鋁金屬側(cè)壁的聚合物(剩余的光刻膠)很厚，后續(xù)即使使用多次濕法和干法刻蝕都不能有效把聚合物去除干凈。